超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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本論文では,超臨界CO_2中で,溶解している有機金属錯体を反応析出させて金属薄膜を得る技術について述べる.我々はこの方法を独自に開発し,Cuの成膜と超微細埋め込みが可能性であることを実証し,PVD法やメッキ法に変わる新しいメタライゼーション手法として提案を行っている。この手法についてCuの成膜特性を調べたところ,同一原料系を用いた熱CVDの場合とは異なっていることがわかった。たとえば,成膜の活性化エネルギーは0.42eVと熱CVDに比べて低い値であり,成膜の開始温度も低い。埋め込みの温度依存性もCVDの場合と異なっており,低温化が必ずしも埋め込み性や段差被覆性の向上にはつながらないことがわかった。埋め込み性は用いるCuプリカーサの種類にも依存する。さらに,最近新しいバリアメタルとして注目されているRuを堆積することに成功し,RuとCuの積層構造を超臨界CO_2中で作製した。これは,超臨界CO_2流体一貫プロセスによるメタライゼーションの可能性を示すものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
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近藤 英一
山梨大学 大学院医学工学総合研究部
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近藤 英一
山梨大学大学院
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近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部情報システム工学系(機械情報システム専攻)
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菱川 正毅
山梨大学工学部
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志鎌 耕一郎
山梨大学大学院
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近藤 英一
山梨大学
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近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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