超臨界流体を利用した配線形成技術
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概要
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Cu配線の作製には,現在PVD法やメッキ法が用いられている.本論文では,これらに替わる新しい手法として,超臨界CO_2中で堆積を行う技術について報告する.実験では,Cu^<II> (hfac)_2 (hfac=hexafluoroacetylacetonate)を超臨界CO_2中に溶解し,H_2還元することで薄膜を堆積した.圧力は10-15MPa,温度は180-400℃である.確認された最低堆積温度は180℃で,この材料系についてCVDで報告されている典型的な値よりも,約100℃低い.この手法により実際に,ディープハーフサブミクロンの微細構造に埋め込むことが可能であることを実証した.得られた膜は(111)配向しており,比抵抗2.15μΩ・cmが得られた.また,XPSレベルでは膜中に残留不純物はみられなかった.この反応が,単なる高庄反応ではな<,超臨界CO_2のもつ特性が成膜に大きく寄与していることについて考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
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