21402 ナノメートルサイズの空孔を持つ層間絶縁膜に対する分子動力学を用いた応力解析(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
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概要
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The feature size of dielectric layers for the interconnection of LSI circuits reaches less than 100nm, which is about ten or hundred times of the lattice constant. The low-k material has been developed as a promising dielectric material, but the crack caused by thermal or bonding stress is discussed because of its porous feature. Therefore, the crack is treated with a scale of the molecular size. Using the molecular dynamics and introducing the rotationally symmetry to the Morse potential, which is a typical model of the inter-molecule potential, the porousness and other mechanical feature are discussed critically.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2008-03-13
著者
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