局所最適化法に適したBSIM3v3パラメータ計算手法
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概要
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BSIM3v3モデルは, 高精度の微細MOSFETモデルとして注目されている. 一般に, 同モデルのパラメータは局所最適化法を用いて抽出される. 局所最適化法では, 部分特性毎に, 感度の最も高いパラメータを順次合わせ込んでいく. このため, パラメータの物理的意味が反映され易いが, 大域的な精度が得られない場合が多い. 大域的な精度を得るためには, 閾値電圧や移動度といった主要なパラメータを高い精度で計算する必要がある. 本報告では, 局所最適化法によって高い大域精度を実現するための, 主要パラメータ計算手法について検討する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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