中間モデルを用いたMOSFETの統計的モデル化手法
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概要
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本論文では, MOSトランジスタの性能ばらつきを簡便に測定, 定量的にモデル化するための一手法を提案する. 本手法の特徴は, 性能ばらつきの根本的な原因となる, 高々5つの物理パラメータのばらつきをまずモデル化した上で(これを中間ばらつきモデルと呼ぶ), パラメータ変換によりSPICE統計モデルを生成する点にある. 各物理パラメータは少数の測定データから解析的に抽出できる. パラメータ変換は線形変換によって行われ, 多くのSPICEモデルに対して容易に適用できる. また, 異なるSPICEモデルで同一の統計情報を共有することができる. 0.3μmCMOSプロセスにおけるトランジスタの性能ばらつきを, 最新のBSIM3v3モデルを使ってモデル化した実験結果を示し, 本手法の有効性を検証する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
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