ダイヤモンドおよびシリコンの表面反応に関する量子化学的検討

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概要

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CVDによって作製されるダイヤモンド膜は、高硬度、耐熱性、ワイドバンドギャップなどの優れた特性を示し、電子デバイスへの応用が期待されている。ダイヤモンドはシリコンと比較して大面積の単結晶を得ることが困難であり、また、その表面反応に関しては未知の部分が多い。本研究では、ダイヤモンド表面と水素および酸素の化学反応を量子化学計算を用いて検討し、既によく知られているシリコンの表面反応のメカニズムとの比較を行った。ダイヤモンド表面の酸化反応については、表面の第一層のみが酸化され下層は酸化されにくいことが示された。また、エーテルおよびケトン構造が安定に生成することが示された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-09-27

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