高加速エレクトロマイグレーション評価の課題
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概要
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高加速エレクトロマイグレーション(EM)評価を行う際の課題について検討を行った。その結果以下のことが明らかとなった。[1]EM故障の電流密度依存性は高電流密度領域で変化する。これは、高電流密度領域では溶断モードのような故障モードが発生するためである。また、この高電流密度領域での電流密度依存性の変化は、配線構造に依存し積層構造配線とAI単層配線で異なった傾向を示す。[2]パルス電流印加試験においてもピーク電流が一定条件を越えると配線の溶断が発生する。[3]高電流密度印加試験ではEM寿命を正確に見積もることは非常に困難である。しかし、この高電流密度試験も同一配線構造での比較評価においては適用可能と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
中野 真治
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
和田 哲明
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
-
和田 哲明
松下電器産業
-
和田 哲明
松下電子工業(株)
-
中野 真治
松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
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