フラッシュメモリの書込/消去方法の信頼性への影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CHE書込/FN消去方式のフラッシュメモリは書込動作時にフローティングゲートへ大量の電子注入を実施することによりトンネル酸化膜へのダメージが大きくなり、ゲートディスターブ寿命が低下する。一方、FN書込/FN消去方式のフラッシュメモリは消去動作時にフローティングゲートへ大量の電子注入を実施してもゲートディスターブ寿命への影響はほとんどない。したがってFN書込/FN消去方式はCHE書込/FN消去方式に比べ読み出し時のゲートディスターブに対する信頼性が高く、より大容量、高書換回数の用途においても十分な信頼性を確保できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-19
著者
-
中野 真治
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
中野 真治
松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
-
登川 一郎
松下電子工業
-
加藤 剛
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
登川 一郎
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
関連論文
- p^+ポリシリコンゲートpMOSFETのHC劣化検討
- +BTストレスによるp^+ポリシリコンゲートpMOSFETの特性変動検討
- ストレスマイグレーションによるスタックドWバイア部のAlボイド成長
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(4) : デバイス劣化の物理と化学(信頼性基礎講座)
- Cu配線のエレクトロマイグレーション現象
- SMD耐基板くり返し曲げ試験の加速性検討
- セッション2-2 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討(信頼性・品質3学会合同シンポジウム)
- 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討
- エミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響
- 窒化膜容量素子のTDDB評価
- 高品質・高信頼性技術 (特集 半導体) -- (半導体基盤技術)
- エレクトロマイグレーションの信頼性予測手法
- フラッシュメモリの書込/消去方法の信頼性への影響
- Via付Al配線のEM耐性
- 高加速エレクトロマイグレーション評価の課題
- ドレイン高耐圧nMOSFETのホットキャリア劣化
- ドレイン高耐圧nMOSFETのホットキャリア劣化(電子部品の信頼性,信頼性一般)
- 高耐圧パワーDMOSFETの信頼性
- PN接合逆バイアス電流に起因した劣化現象