高耐圧パワーDMOSFETの信頼性
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概要
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従来よりディスクリート素子としてパワーDMOSFETは広く用いられているが、高集積化の進行により一部の用途にはIC化が要望されていた。集積化にあたっては限られた面積の中に素子を形成する必要があるため、特に信頼性が重要である。このため、専用のTEGを新たに設計し、試作・信頼性評価を実施した。その結果、非常に信頼性の高い素子構造を見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-10
著者
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和田 哲明
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
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和田 哲明
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
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和田 哲明
松下電子工業(株)
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登川 一郎
松下電子工業
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登川 一郎
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
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