PN接合逆バイアス電流に起因した劣化現象
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概要
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PN接合への逆バイアス電圧印加時に流れる電流は、アバランシェプレークダウン電流、トンネル電流、逆方向飽和電流に分類される。各々の電流は半導体製品の信頼性仁影響を与える場合がある。(1) アバランシェブレークダウンが発生するような使用方法では、ブレークダウンの位置が重要である。(2) 微細構造においてはアバランシェブレークダウンの他にトンネル電流も考慮する必要がある。(3) 高耐圧構造では逆方向飽和電流の影響を受け易いため、素子構造を十分に検討する必要がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-07
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