ドレイン高耐圧nMOSFETのホットキャリア劣化(電子部品の信頼性,信頼性一般)
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概要
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微細化nMOSFETのホットキャリア劣化は主にAHCによる劣化で、ストレス電圧に対し単調に加速する。一方、ドレイン高耐圧nMOSFETのホットキャリア劣化は、微細化nMOSFETと同様AHCによる劣化であることを確認した。しかし、ストレス電圧に対し単調に加速するのではなく、一定以上のストレス電圧では逆に劣化が抑制されることが判明した。その原因はアバランシェブレークダウンの発生する位置が、ストレス電圧が高くなるにつれ深くなり、ホットキャリアが基板表面に到達する割合が減少するためだと推定される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-07
著者
-
和田 哲明
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
-
和田 哲明
松下電器産業
-
和田 哲明
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
-
登川 一郎
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
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