定電圧TDDB試験と定電流TDDB試験との相関検討
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概要
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ゲート酸化膜厚が一定で、TDDB寿命が異なるMOSFETアレーを用いて、定電圧TDDB試験と定電流TDDB試験の相関について検討した。定電圧TDDB寿命(tbd)と定電流TDDB寿命(Qbd)には、良い相関があることがわかった。又、同じゲート酸化膜厚の試料において、何故大きくTDDB寿命が違ったのかを検討した。このTDDB寿命の違いは、ゲート酸化膜中にトラップされる量, 確率が寄与していることがわかった。つまり、TDDB寿命の長いもの程同じ電荷量を注入されても、Si-SiO_2界面に電子がトラップされやすくゲート酸化膜中にトラップされる実効的な電子が少ないと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
-
藤本 昌宏
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
藤木 昌宏
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
-
中野 真冶
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
-
和田 哲明
松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
-
和田 哲明
松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
-
和田 哲明
松下電子工業(株)
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