p^+ポリシリコンゲートpMOSFETのHC劣化検討
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概要
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今回、我々は3種類のストレス条件(Igmax, Isubmax, CHCストレス条件)でp^+ポリシリコンゲートを有するpMOSFETのホットキャリア劣化現象を詳細に検討し、メカニズムを明確にした。Igmax条件は、Ids, gmが単調増加する。これは、アバランシェホットエレクトロン注入が影響している。Isubmax条件は、Ids, gmが一旦アバランシェホットエレクトロン注入により増加する。その後、アバランシェホットホール注入により減少する。CHC条件では、Ids, gmが単調減少する。これは、チャネルホットホール注入が影響している。この様にpMOSFETのホットキャリア劣化モードは3種類あり、しかも、それぞれでホットキャリア劣化寿命のストレス電圧依存性が異なる事がわかった。従って、ホットキャリア劣化寿命を正確格に予測するためには、全てのストレス条件でストレス電圧依存性を含めた検討が必要である事が明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-10
著者
-
藤本 昌宏
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
中島 唯之
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
中野 真治
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
-
中野 真治
松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
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