半導体デバイスの信頼性基礎講座(4) : デバイス劣化の物理と化学(信頼性基礎講座)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-11-01
著者
関連論文
- p^+ポリシリコンゲートpMOSFETのHC劣化検討
- +BTストレスによるp^+ポリシリコンゲートpMOSFETの特性変動検討
- ストレスマイグレーションによるスタックドWバイア部のAlボイド成長
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(4) : デバイス劣化の物理と化学(信頼性基礎講座)
- Cu配線のエレクトロマイグレーション現象
- SMD耐基板くり返し曲げ試験の加速性検討
- セッション2-2 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討(信頼性・品質3学会合同シンポジウム)
- 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討
- エミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響
- 高品質・高信頼性技術 (特集 半導体) -- (半導体基盤技術)
- エレクトロマイグレーションの信頼性予測手法
- フラッシュメモリの書込/消去方法の信頼性への影響
- Via付Al配線のEM耐性
- 高加速エレクトロマイグレーション評価の課題