中野 真治 | 松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
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概要
関連著者
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中野 真治
松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
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中野 真治
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
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松下電子工業(株)半導体事業本部品質技術部
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旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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松下電器産業(株) 半導体社 品質技術グループ
著作論文
- p^+ポリシリコンゲートpMOSFETのHC劣化検討
- +BTストレスによるp^+ポリシリコンゲートpMOSFETの特性変動検討
- ストレスマイグレーションによるスタックドWバイア部のAlボイド成長
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(4) : デバイス劣化の物理と化学(信頼性基礎講座)
- Cu配線のエレクトロマイグレーション現象
- SMD耐基板くり返し曲げ試験の加速性検討
- セッション2-2 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討(信頼性・品質3学会合同シンポジウム)
- 半導体デバイスのデバイス帯電系ESD試験方法の検討
- エミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響
- 高品質・高信頼性技術 (特集 半導体) -- (半導体基盤技術)
- エレクトロマイグレーションの信頼性予測手法
- フラッシュメモリの書込/消去方法の信頼性への影響
- Via付Al配線のEM耐性
- 高加速エレクトロマイグレーション評価の課題