エミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響
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概要
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バイポーラTrのエミッタ・ベース逆バイアスストレスでのhFE劣化におけるコレクタ状態の影響について検討し、以下のことが明らかになった。 1.ベース拡散層が浅い又は、ベース拡散層の濃度が薄い場合、コレクタ接地状態において、エミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流により、コレクタオープン状態よりも初期耐圧が低下する。 2.コレクタ接地状態では、エミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流が起因し、コレクタオープン状態よりもhFE劣化が大きくなることがある。 3.コレクタ接地状態でのエミッタ・コレクタ間のパンチスルー電流がhFE劣化に与える影響は、エミッタ・ベース拡散層の深さに依存し、浅くなるほど影響が大きい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-19
著者
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中野 真治
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
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安田 智
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
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中野 真治
松下電器産業(株)半導体社事業本部品質技術グループ
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札谷 正美
松下電子工業(株)半導体社品質技術部
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