窒化膜容量素子のTDDB評価
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概要
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主にバイポーラICで容量素子として使用されるシリコン窒化膜(SiN)薄膜について、広い範囲に面積を振ったTEGを作成し、TDDB特性を評価した。絶縁破壊時間は容量素子面積にほとんど依存せず、欠陥が非常に少ない膜質が得られていると考えられる。一方、主にMOSICで使用されるポリシリコン酸化膜では破壊時間は面積に反比例する傾向にある。SiNのTDDBの活性化エネルギーは約0.1eVと非常に小さく、薄膜中のシリコン酸化膜と異なる絶縁破壊メカニズムによるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
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