OHラジカル注入によって形成したダイヤモンド薄膜のSTM/STS解析
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概要
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OHラジカル注入RF CH_3OHプラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の表面電子状態を超高真空中の走査型トンネル顕微鏡(STM)と走査型トンネル分光法(STS)を用いて調べた. その結果, マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の表面電子構造がp型を示すのに対して, このダイヤモンド薄膜はn型を示した. また, 上記のCVDによるダイヤモンド薄膜の初期成長も調べた. このダイヤモンド表面のSTS測定によりバンドギャップを求め, その違いからダイヤモンドの核とその他(下地)の部分の区別に成功した. そして, 下地がアモルファスカーボンであることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-28
著者
-
堀 勝
名古屋大学
-
後藤 俊夫
名古屋大学化学科
-
伊藤 昌文
名古屋大学工学研究科
-
村田 和哉
名古屋大学
-
平松 美根男
名城大学理工学部電気電子工学科
-
後藤 俊夫
名古屋大学 工学研究科量子工学専攻
-
後藤 俊夫
Imram Tohoku University
-
平松 美根男
名城大学・理工
-
後藤 俊夫
名古屋大学
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