活性層光混合法におけるLD変調周波数特性の注入光波長依存性 (II)
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概要
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半導体レーザ(LD)素子単体の変調周波数特性を測定する方法の1つに, 活性層光混合法がある。これは, 直流バイアスしたLDの活性層に2つの光を注入し, そのビート周波数で活性層内のキャリア密度を変調する方法である。前回までに我々は, この測定法において, 注入光の波長によって得られる変調周波数特性が異なることを明らかにした。これは, LD活性層内における利得が波長に依存しているため, 注入光の波長により, (1) 誘導放出を起こして活性層全体のキャリア密度を変調する場合, (2) 誘導吸収されて一部のみが変調される場合, の2つがある為と考えられる。今回, 被測定LDのバイアス電流を変化させ, 各々の場合の変調周波数特性を比較するとともに, (1)の場合についてレート方程式による解析をおこなったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
後藤 俊夫
名古屋大学化学科
-
松井 健一
名古屋大学
-
森 正和
愛知工業大学
-
松井 健一
Ntt
-
後藤 了祐
名古屋大学
-
森 正和
名古屋大学
-
西本 央
富士通(株)
-
粕谷 英明
愛知工業大学
-
後藤 了祐
富士通
-
松井 健一
Nttネットワークサービスシステム研究所
-
後藤 俊夫
名古屋大学 工学研究科量子工学専攻
-
後藤 俊夫
Imram Tohoku University
-
粕谷 英明
アンリツ 研
-
後藤 俊夫
名古屋大学
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