相関測定法を用いたGaAs空乏層からの広帯域テラヘルツ光検出
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概要
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本研究では、GaAs空乏層からのテラヘルツ放射を擬似的な自己相関法による時間分解テラヘルツ分光系を用いて測定した。その結果、逆バイアスを印加することによって、InAsの約40倍の発光強度で10THzもの広帯域なテラヘルツ光が観測され、GaAs空乏層からのテラヘルツ放射は、半導体を用いた高輝度・広帯域テラヘルツ光源として有望であることがわかった。さらに、GaAs空乏層内のサージ電流によって発生したテラヘルツ光の自己相関信号から、サブピコ秒領域におけるGaAs空乏層内の電子伝導について考察し、電子の速度オーバーシュート特性の存在が確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-15
著者
-
平川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
松野 哲也
東京大学生産技術研究所
-
Shimada Yuji
Microsystem Research Center Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
平川 一彦
東大生研:科技団
-
島田 洋蔵
東京大学生産技術研究所
-
島田 洋蔵
産業技術総合研究所
-
嶋田 豊
富山医科薬科大学医学部和漢診療学
-
Shimada Yutaka
21^<st> Century Coe Program Toyama Medical And Pharmaceutical University
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