多孔質シリコンを用いた面放出形コールドカソード : 基本特性と電子放出機構
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概要
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先に報告した多孔質Si(PS)発光ダイオードからの冷電子放出現象について,その基本特性を,エレクトロルミネセンス(EL)機構の解明,および真空マイクロエレクトロニクス機能素子への応用の観点から検討してきた. ここでは,放出電子流のダイオード印加電圧依存性, PS層厚さ依存性,PS層の急速熱酸化(RTO)効果, ELとの関係,および放出機構についてまとめる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-13
著者
-
越田 信義
東京農工大学大学院 ナノ未来科学研究拠点
-
小山 英樹
東京農工大学工学部電子情報工学科
-
盛 夏
東京農工大学工学部電気電子工学科
-
吉川 高正
パイオニア株式会社総合研究所
-
小笠原 清秀
パイオニア株式会社総合研究所
-
小山 英樹
東京農工大 工
-
越田 信義
東京農工大 大学院
-
越田 信義
東京農工大大学院
-
Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricu
-
Koshida Nobuyoshi
Division Of Electronic And Information Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricul
-
Koshida N
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn
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