Electroluminescence Enhancement Assisted with Ballistic Electron Excitation in Nanocrystalline Silicon Diodes

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2005-04-30

著者

• UCHIDA Tetsuya

  Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University

• Kojima A

  Gunma National Coll. Technol. Maebashi Jpn

• Kojima A

  Quantum 14 Co. Ltd.

• KOSHIDA Nobuyoshi

  Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology

• Kanda Takayuki

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Niibe Masao

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Koshida N

  Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn

• GELLOZ Bernard

  Graduate school of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology

• KOJIMA Akira

  Quantum 14 Co.

• Gelloz Bernard

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Gelloz Bernard

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of A & T

• Uchida Tetsuya

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Koshida Nobuyoshi

  Graduate School Of Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Koshida Nobuyoshi

  Graduate School Of Eng. Tokyo Univ. Of A&t

関連論文

• 離散時間線形系の分解と低次元化モデル予測制御への応用
• 制御系の制約を考慮した制御器の状態設定
• 一般化した線形系の特異値・特異ベクトルによる補償入力のオンライン設計
• 目標値の先見情報を用いた補償入力のオンライン設計法
• 制約を有する線形制御系に対する補償入力の設計
• 制約を有する連続時間線形系に対する補償入力の設計
• H∞予見制御系の構成と実験的考察
• シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善
• 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用
• 熱延仕上ミル張力・ルーパ系のハイブリッドシステムモデルとモデル予測制御
• 熱延仕上ミル張力・ルーパ系のハイブリッドシステムモデルとモデル予測制御(鉄鋼業における最新の計測,制御,システム技術)
• P3-1 熱誘起ナノ結晶Si超音波源の空中3次元イメージセンサへの応用 : 超音波源の動特性評価(ポスターセッション3(概要講演))
• 多孔質シリコンの表面構造と発光機構
• 7)多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性(情報ディスプレイ研究会)
• 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性 : 情報ディスプレイ
• 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性
• 1インチ256×192画素アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板
• アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• Poly(2,5-benzimidazole) nanofibers prepared by reaction-induced crystallization
• 多孔質シリコンを用いた面放出形コールドカソード : 基本特性と電子放出機構
• シリコンの発光現象
• 30p-Q-7 多孔質シリコンのESR
• バンド構造変化と表面束縛状態の相補的効果
• 27p-ZF-9 ポーラスSiの光物性
• 多孔質シリコンの可視発光
• 多孔質シリコンの可視域発光特性
• Precise Thermal Characterization of Confined Nanocrystalline Silicon by a 3ω Method
• Precise Thermal Characterization of Confined Nanocrystalline Silicon By a 3ω Method
• Ultrasound Emission Characteristics of a Thermally Induced Sound Emitter Employing a Nanocrystalline Silicon Layer
• Morphology Control of Poly(p-mercaptobenzoyl) by Modification of Oligomer End-group
• Effects of Oxidation on Electronic States and Photoluminescence Properties of Porous Si
• Surface Structures and Photoluminescence Mechanisms of Porous Si
• Fullerodendron-assisted Dispersion of Single-walled Carbon Nanotubes via Noncovalent Functionalization
• New Design Concept and Fabrication Process for Three-Dimensional Silicon Photonic Crystal Structures
• ハイブリッドシステム表現を用いた群集挙動のモデリング--計算アルゴリズムの簡略化に関する考察
• 《第3回》入力むだ時間系とH^∞制御
• 1-10P-59 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源によるデジタル情報伝送(ポスターセッション 1)
• Deep-Level Energy States in Nanostructural Porous Silicon
• Electroluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
• 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
• 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
• EID2000-12 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
• シリコンベース光共振器・導波路の動作特性 : ポーラスシリコンの高い屈折率制御性を用いた光デバイスの作製
• 量子サイズナノシリコンの発光と新規機能
• ナノシリコンダイオードからの弾道電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)
• Functional devices based on quantum-sized nanosilicon (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Functional devices based on quantum-sized nanosilicon (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
• Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
• Light-induced Electron Transfer on the Single Wall Carbon Nanotube Surrounded in Anthracene Dendron in Aqueous Solution
• Photoluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
• Optical Cavity Based on Porous Silicon Superlattice Technology
• Cold Electron Emission from Electroluminescent Porous Silicon Diodes
• The Relatiornship between Photoconduction Effects and Luminescent Properties of Porous Silicon
• Evidence of Homogeneously Broadened Spectra in the Visible Photoluminescence of Porous Silicon
• Visible Photoluminescence of Porous Si and Its Related Optical Properties
• 予見とH^∞外乱抑制
• 授賞論文「予見・遅れをともなう方策とH^∞制御」(学会賞の贈呈 : 2003年度学会賞論文賞)
• Electrical Properties of Nanometer-Width Refractory Metal Lines Fabricated by Focused Ion Beam and Oxide Resists
• 50-nm Metal Line Fabrication by Focused Ion Beam and Oxide Resists : Focused Ion Beam Process
• 50-nm Metal Line Fabrication by Focused Ion Beam and Oxide Resists
• Focused Ion Beam Fabrication of Fine Metal Structures by Oxide Resists : Beam-Induced Physics and Chemistry
• MLDシステム表現を用いた群集挙動のモデリング
• Multilayered thin metal film deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solutions (Special issue: Microprocesses and nanotechnology)
• Focused Ion Beam Fabrication of Fine Metal Structures by Oxide Resists
• 入力むだ時間系のH∞制御--可解条件の判定法に関する考察
• Dual Function of Thin MoO_3 and WO_3 Films as Negative and Positive Resists for Focused Ion Beam Lithography
• Electroluminescence Enhancement Assisted with Ballistic Electron Excitation in Nanocrystalline Silicon Diodes
• 予見フィードフォワード補償とH_2制御
• 制約を有する連続時間システムとモデル予測制御
• Electroluminescence Enhancement Assisted with Ballistic Electron Excitation in Nanocrystalline Silicon Diodes
• A Solid-State Multicolor Light-Emitting Device Based on Ballistic Electron Excitation
• 入出力制約を有するシステムに対する準最適レギュレータの構成
• Effects of Anodization Current Density on Photoluminescence Properties of Porous Silicon
• A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Polysilicon Films
• A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Poly-Silicon Films
• Plasma Component Filtering through a Hole Using the Sheath Generated around the Hole on Surface Modification by RF Plasma
• Damage Reduction of Plasma-Treated Carbon Surfaces by Controlled Plasma
• In-Depth Profile Measurements of Cr-Related Luminescence Lines in GaAs
• Deep-Level Luminescence of Cr-Doped GaAsP Alloys
• Deep-Level Luminescence in Ni-Diffused GaAs
• Counter-Electrode-Free Thin Cu Film Deposition Based on Ballistic Electron Injection into CuSO4 Solution from Nanosilicon Emitter
• ナノシリコンの発光と新機能
• Highly enhanced efficiency and stability of Photo- and Electro-Luminescence of Nano-Crystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing
• Highly Efficient and Stable Photoluminescence of Nanocrystalline Porous Silicon with Fully Annealed and Passivated Surfaces
• Acoustic Wave Manipulation by Phased Operation of Two-Dimensionally Arrayed Nanocrystalline Silicon Ultrasonic Emitters
• Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device
• ポーラスシリコンの発光 - 間接・直接遷移の枠を超えて -
• シリコンによる光電子集積を目指して
• Focused Ion Beam Lithography with Transition Metal Oxide Resists : Lithography Technology
• Acoustic Emission Characteristics of Nanocrystalline Porous Silicon Device Driven as an Ultrasonic Speaker
• Development of Flexible Electrochromic Device with Thin Film Configuration
• 光インターカレーション効果によるWO_3薄膜の光学的・電気的特性変化
• マイクロチャンネルプレートの出力電子エネルギー分布
• A Solid-State Multicolor Light-Emitting Device Based on Ballistic Electron Excitation
• 23-3 アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(第23部門 イメージセンサII)
• 23-2 アクティブ駆動方式256×192画素冷陰極HEEDと撮像カメラへの応用(第23部門 イメージセンサII)
• 13-5 シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善(第13部門 情報センシング)
• MCPの出力電子エネルギー分布 : 出力端電極構造の影響(画像変換装置)
• Specific Blue Light Emission from Nanocrystalline Porous Si Treated by High-Pressure Water Vapor Annealing

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク