7)多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性(情報ディスプレイ研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
須田 良幸
東京農工大学大学院工学府
-
越田 信義
農工大
-
須田 良幸
農工大
-
須田 良幸
東京農工大学
-
須田 良幸
東京農工大学大学院 工学府
-
小山 英樹
農工大
-
尾崎 剛
農工大
-
荒木 実
農工大
-
小野 剛
農工大
-
小山 英樹
東京農工大学工学部電子情報工学科
-
尾崎 剛
東京農工大学工学部電子情報工学科
-
荒木 実
東京農工大学工学部電子情報工学科
-
小山 英樹
東京農工大 工
-
越田 信義
農工大工
-
小山 英樹
農工大工
-
越田 信義
東京農工大 大学院
-
越田 信義
東京農工大大学院
-
Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricu
-
Koshida Nobuyoshi
Division Of Electronic And Information Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricul
-
Koshida N
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn
関連論文
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- スパッタエピタキシー技術と量子効果デバイスへの応用
- シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善
- 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用
- P3-2 熱誘起ナノ結晶Si超音波源の空中3次元イメージセンサへの応用 : 物体形状認識能の実証(ポスターセッション3(概要講演))
- P3-1 熱誘起ナノ結晶Si超音波源の空中3次元イメージセンサへの応用 : 超音波源の動特性評価(ポスターセッション3(概要講演))
- シリコン技術
- 29a-H-3 酸化バナジウムの高分解能光電子分光II
- 4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD
- C-11-2 Pドープ4層バッファを用いたSi/SiGe系共鳴トンネルダイオードの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 25pB07 SiGe多層構造歪緩和バッファ作製技術と室温動作Si/SiGe系RTD(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- C-11-5 歪制御多層バッファーによる SiGe 系 RTD の平坦化機構と NDR 特性の向上
- 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
- 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_x/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
- 多孔質シリコンの表面構造と発光機構
- 7)多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性(情報ディスプレイ研究会)
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性 : 情報ディスプレイ
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性
- Si_Ge_xエピタキシー技術と低次元デバイスへの応用
- ポンプ回路のゲート波形と動作信頼性
- 1インチ256×192画素アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板
- アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 多孔質シリコンを用いた面放出形コールドカソード : 基本特性と電子放出機構
- シリコンの発光現象
- 30p-Q-7 多孔質シリコンのESR
- バンド構造変化と表面束縛状態の相補的効果
- 27p-ZF-9 ポーラスSiの光物性
- 多孔質シリコンの可視発光
- 多孔質シリコンの可視域発光特性
- 29a-P-3 c B Nの光電子分光
- 27a-W-3 (V_Cr_x)_2O_3の高分解能光電子分光
- 13p-DD-14 ポーラス・シリコンのラマン散乱
- Precise Thermal Characterization of Confined Nanocrystalline Silicon By a 3ω Method
- Ultrasound Emission Characteristics of a Thermally Induced Sound Emitter Employing a Nanocrystalline Silicon Layer
- Surface Structures and Photoluminescence Mechanisms of Porous Si
- 1-10P-59 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源によるデジタル情報伝送(ポスターセッション 1)
- P3-26 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源出力の可変指向性(ポスターセッション3(概要講演))
- Effects of Thermal Effusivity in Nanocrystalline Porous Silicon on Long-Term Operation of Thermally Induced Ultrasonic Emission
- Dynamic Analyses of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Silicon
- Deep-Level Energy States in Nanostructural Porous Silicon
- Electroluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- EID2000-12 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- Moodleと学務情報システムのデータ連携の設計と課題
- シリコンベース光共振器・導波路の動作特性 : ポーラスシリコンの高い屈折率制御性を用いた光デバイスの作製
- Physical Properties of SiO_2-doped Si Films and Electroluminescence in Metal/SiO_2-doped Si/p-Si Diodes
- 量子サイズナノシリコンの発光と新規機能
- ナノシリコンダイオードからの弾道電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)
- 03aB07 ナノシリコンテクノロジーによる光・電子・音響機能集積(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
- Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
- Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
- 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子
- SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 多様なワークフローを考慮したmoodle上での予約モジュールのデザイン
- Photoluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
- Optical Cavity Based on Porous Silicon Superlattice Technology
- Cold Electron Emission from Electroluminescent Porous Silicon Diodes
- The Relatiornship between Photoconduction Effects and Luminescent Properties of Porous Silicon
- Evidence of Homogeneously Broadened Spectra in the Visible Photoluminescence of Porous Silicon
- Visible Photoluminescence of Porous Si and Its Related Optical Properties
- Quick Response Observed in Solid-State Electrochromic Device with an Interfacial Barrier Structure
- ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開
- ナノ結晶シリコンフィールドエミッションディスプレイデバイス
- 映像・音響技術におけるナノテクノロジー : 量子サイズ領域で拓かれるシリコンの新しい可能性(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
- 27pYG-4 物理・応用物理学関連分野の審査基準
- JABEEに関する状況報告
- Electrical Properties of Nanometer-Width Refractory Metal Lines Fabricated by Focused Ion Beam and Oxide Resists
- 50-nm Metal Line Fabrication by Focused Ion Beam and Oxide Resists : Focused Ion Beam Process
- 50-nm Metal Line Fabrication by Focused Ion Beam and Oxide Resists
- Focused Ion Beam Fabrication of Fine Metal Structures by Oxide Resists : Beam-Induced Physics and Chemistry
- Focused Ion Beam Fabrication of Fine Metal Structures by Oxide Resists
- 2-4 MCPの出力電子エネルギー分布 : イメージインテンシファイヤの解像度への影響
- C-11-3 浮遊電極を用いた2端子抵抗変化型不揮発性メモリ(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-2 スパッタSiC膜を用いた抵抗変化型MISメモリ(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-1 スパッタエピタキシーを用いたp-RTDの素子化(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- Dual Function of Thin MoO_3 and WO_3 Films as Negative and Positive Resists for Focused Ion Beam Lithography
- Effects of Anodization Current Density on Photoluminescence Properties of Porous Silicon
- 1)光インタカレーション効果とその情報入力デバイスへの応用(情報入力研究会)
- A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Polysilicon Films
- 光インターカレーション効果とその情報入力デバイスへの応用
- A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Poly-Silicon Films
- 低エネルギー正イオンに対するマイクロチャンネルプレートの反射形動作特性
- アモルファス三酸化モリブデン薄膜のイオンレジスト効果
- アモルファスWO3薄膜のイオンビームレジスト効果
- ナノシリコンの発光と新機能
- ポーラスシリコンの発光 - 間接・直接遷移の枠を超えて -
- シリコンによる光電子集積を目指して
- 低エネルギー正イオンに対するマイクロチャンネルプレートの利得
- 光インターカレーション効果によるWO_3薄膜の光学的・電気的特性変化
- マイクロチャンネルプレートの出力電子エネルギー分布
- 23-3 アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(第23部門 イメージセンサII)
- 23-2 アクティブ駆動方式256×192画素冷陰極HEEDと撮像カメラへの応用(第23部門 イメージセンサII)
- 13-5 シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善(第13部門 情報センシング)
- MCPの出力電子エネルギー分布 : 出力端電極構造の影響(画像変換装置)
- SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYG-4 物理・応用物理学関連分野の審査基準(27pYG 領域外シンポジウム(応用物理学会との共同企画シンポジウム)主題:日本技術者教育認定機構JABEEについて-物理・応用物理学関連分野での審査試行開始にあたって-,領域外)
- 27pYG-4 物理・応用物理学関連分野の審査基準(27pYG 領域外シンポジウム(応用物理学会との共同企画シンポジウム) 主題:日本技術者教育認定機構JABEEについて-物理・応用物理学関連分野での審査試行開始にあたって-,領域外)