SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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金属/トンネル酸化層/SiO_x電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属-絶縁体-半導体(MIS)型(構造)と金属/p型酸化物半導体/SiO_x/n-SiC/n-Si/金属のpnダイオード型(構造)の2端子不揮発性メモリ素子を提案した.両メモリ素子共にSiO_x電子捕獲層での電子の有無に依存してバンドのポテンシャルが変化し,素子の抵抗値が変化する電界誘起型動作を原理とする.特にpnダイオード型は優れた整流特性を示し,理論的最密なクロスポイント型メモリ素子としの応用が期待される.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
須田 良幸
東京農工大学
-
塚本 貴広
東京農工大学大学院工学府
-
小松 辰己
東京農工大学大学院工学府
-
山口 伸雄
東京農工大学大学院工学府
-
佐藤 芳彦
東京農工大学大学院工学府
-
山田 有希乃
東京農工大学大学院工学府
-
山下 淳史
東京農工大学大学院工学府
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