SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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地球資源的に有望なSi系材料を用いる次世代のナノデバイスとして,SiGe共鳴トンネルデバイス(RTD)および通信波長帯の光デバイス用Geドットアレイ技術を展開している.この中で,環境軽負荷型のSiGe系スパッタエピタキシー法を開発した.また、不整合転位を2つの界面に分散し,貫通転位の表出を抑制した高濃度Pドープが可能な薄型4層歪緩和バッファを提案し,Type II バンドオフセットを用いた高PVCRを示す縦型および平面型の電子トンネル型2重量子井戸RTDを開発した.また、2重量子井戸構造の縦型の正孔トンネル型RTDを試作し,初めて室温で負性抵抗特性を得た.さらに,Geドットの人為的位置制御機構を明らかにして制御手法を提案し,ドットを人為的に規則配列したスタック構造の光デバイス用Geドットアレイを作製した.
- 2007-01-25
著者
-
須田 良幸
東京農工大学大学院工学府
-
前川 裕隆
東京農工大学大学院工学府
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佐野 嘉洋
東京農工大学大学院工学府
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高橋 陽一
東京農工大学大学院工学府
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小林 忠正
東京農工大学大学院工学府
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花房 宏明
東京農工大学大学院工学府
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須田 良幸
東京農工大学
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須田 良幸
東京農工大学大学院 工学府
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花房 宏明
東京農工大学
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