室温下で高PVCRを有するSi_<1-x>Ge_x/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
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概要
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Si_<1-x>Ge_x/Si共鳴トンネルダイオード(RTD)の基本特性である負性微分抵抗(NDR)特性の向上に, 電子トンネルと多重量子井戸の組み合わせが最も効果のあることを理論解析結果を基に提示し, また, 電子トンネル型Si_<0.7>Ge_<0.3>/Si3重障壁(TB)RTDを作製して実証した.さらに, アニールを施した薄化2層歪緩和バッファ一層を提案して結晶品質を高めた.このバッファ一層を適用して非対称2重量子井戸を有するSi_<0.67>Ge_<0.33>/Si TB RTDを作製し, PVCR(山対谷電流比)=〜180を得た.この値は従来のおよそ150倍でありPVCRでIII-V系RTDと同等以上の特性を達成した.この結果はまた, SiGe系RTDでは, 非弾性散乱が本質的に少ないことを実証している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
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