須田 良幸 | 東京農工大学
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概要
関連著者
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須田 良幸
東京農工大学
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須田 良幸
東京農工大学大学院工学府
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須田 良幸
東京農工大学大学院 工学府
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前川 裕隆
東京農工大学大学院工学府
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佐野 嘉洋
東京農工大学大学院工学府
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花房 宏明
東京農工大学大学院工学府
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花房 宏明
東京農工大学
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高橋 陽一
東京農工大学大学院工学府
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小林 忠正
東京農工大学大学院工学府
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越田 信義
東京農工大 大学院
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越田 信義
東京農工大大学院
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Koshida Nobuyoshi
Division Of Electronic And Information Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricul
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Koshida N
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn
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越田 信義
東京農工大学大学院 ナノ未来科学研究拠点
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目黒 明彦
東京農工大学工学部
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小山 英樹
東京農工大学工学部電子情報工学科
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尾崎 剛
東京農工大学工学部電子情報工学科
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荒木 実
東京農工大学工学部電子情報工学科
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小山 英樹
東京農工大 工
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須田 良幸
東京農工大院工
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須田 良幸
東京農工大学総合情報メディアセンター
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小黒 剛
東京農工大学工学部電子情報工学科
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江木 啓訓
東京農工大学総合情報メディアセンター
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江木 啓訓
慶応義塾大学理工学部情報工学科
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Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricu
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江木 啓訓
慶應義塾大学環境情報学部
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江木 啓訓
慶應義塾大学大学院政策・メディア研究科
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江木 啓訓
東京農工大学 総合情報メディアセンター
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辰己 丈夫
東京農工大学
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辰己 丈夫
神戸大学発達科学部
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越田 信義
農工大
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須田 良幸
農工大
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上野 千尋
東京農工大学 工学部 電気電子工学科
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小山 英樹
農工大
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尾崎 剛
農工大
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荒木 実
農工大
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小野 剛
農工大
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大窪 隆文
東京農工大学
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山村 耕一郎
東京農工大学工学部
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品川 徳秀
東京農工大学
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品川 徳秀
東京農工大学工学府
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辰巳 丈夫
神戸大学発達科学部
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越田 信義
農工大工
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小山 英樹
農工大工
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戸田 英貴
東京農工大学工学府
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品川 徳秀
東京農工大学工学府情報工学専攻
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長谷川 宏巳
東京農工大学大学院工学府
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野村 彬成
東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻
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井上 直久
東京農工大院工
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金澤 学
東京農工大院工
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伊賀 宏一郎
東京農工大院工
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岩崎 慶士
東京農工大院工
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辰己 丈夫
早稲田大学理工学総合研究センター
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須田 良幸
東京農工大学大学院工学教育部
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前川 裕隆
東京農工大学大学院工学教育部
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佐野 嘉洋
東京農工大学大学院工学教育部
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塚本 貴広
東京農工大学大学院工学府
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小松 辰己
東京農工大学大学院工学府
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山口 伸雄
東京農工大学大学院工学府
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佐藤 芳彦
東京農工大学大学院工学府
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山田 有希乃
東京農工大学大学院工学府
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山下 淳史
東京農工大学大学院工学府
著作論文
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- スパッタエピタキシー技術と量子効果デバイスへの応用
- 4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD
- C-11-2 Pドープ4層バッファを用いたSi/SiGe系共鳴トンネルダイオードの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- 25pB07 SiGe多層構造歪緩和バッファ作製技術と室温動作Si/SiGe系RTD(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- C-11-5 歪制御多層バッファーによる SiGe 系 RTD の平坦化機構と NDR 特性の向上
- 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
- 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_x/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
- 多孔質シリコンの表面構造と発光機構
- 7)多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性(情報ディスプレイ研究会)
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性 : 情報ディスプレイ
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性
- Si_Ge_xエピタキシー技術と低次元デバイスへの応用
- ポンプ回路のゲート波形と動作信頼性
- SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Moodleと学務情報システムのデータ連携の設計と課題
- 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子
- SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 多様なワークフローを考慮したmoodle上での予約モジュールのデザイン
- C-11-3 浮遊電極を用いた2端子抵抗変化型不揮発性メモリ(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-2 スパッタSiC膜を用いた抵抗変化型MISメモリ(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-1 スパッタエピタキシーを用いたp-RTDの素子化(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ : MIS型およびpnダイオード型メモリ(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)