C-11-2 Pドープ4層バッファを用いたSi/SiGe系共鳴トンネルダイオードの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-07
著者
-
須田 良幸
東京農工大学大学院工学府
-
前川 裕隆
東京農工大学大学院工学府
-
佐野 嘉洋
東京農工大学大学院工学府
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須田 良幸
東京農工大学
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須田 良幸
東京農工大学大学院工学教育部
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前川 裕隆
東京農工大学大学院工学教育部
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佐野 嘉洋
東京農工大学大学院工学教育部
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