前川 裕隆 | 東京農工大学大学院工学府

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• 須田 良幸

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• 前川 裕隆

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• 須田 良幸

  東京農工大学

• 須田 良幸

  東京農工大学大学院 工学府

• 佐野 嘉洋

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• 高橋 陽一

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• 小林 忠正

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• 花房 宏明

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• 花房 宏明

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• 目黒 明彦

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  東京農工大学 工学部 電気電子工学科

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著作論文

• SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術
• SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
• スパッタエピタキシー技術と量子効果デバイスへの応用
• 4層バッファを用いた高電流密度電子トンネル型SiGe RTD
• C-11-2 Pドープ4層バッファを用いたSi/SiGe系共鳴トンネルダイオードの作製(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
• 25pB07 SiGe多層構造歪緩和バッファ作製技術と室温動作Si/SiGe系RTD(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
• C-11-5 歪制御多層バッファーによる SiGe 系 RTD の平坦化機構と NDR 特性の向上
• 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
• 室温下で高PVCRを有するSi_Ge_x/Si3重障壁共鳴トンネルダイオード
• SiGe系量子効果デバイス : 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)

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