SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
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概要
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金属/SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS(金属-絶縁体-半導体)型の新しい構造からなる,抵抗変化型の不揮発性RAM(RRAM)を提案した.SiO_x層およびSiO_x/SiC界面にはC欠損による欠陥準位が形成されていると考えられ,この捕獲準位への電子の充放電により各層の電圧降下が変わることで電子のトンネルの有無が生じ,メモリ素子全体の抵抗値が高抵抗値と低抵抗値の間で変化するという新しいメモリ動作原理を有している.抵抗値比,書込み速度,書込回数などの個別特性としては実用的な値を示した.今後,構造,作製条件などの性能制御技術の展開によって,さらに,性能が向上すると期待され,また,資源的に豊富な元素のみ(Si, C, O)を用いているため,環境適合性に優れた次世代の高密度メモリとして期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-08
著者
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