13-5 シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善(第13部門 情報センシング)
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概要
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The relationship between the fabrication condition and photoconductive properties was investigated for nanometersized Si dot multilayers. The quantum efficiency was improved when the oxidation time of Si dots was shorter than ever. TEM results suggest that the distance between Si dots is related strongly to photoconductive properties.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2004-08-02
著者
-
平野 喜之
日本放送協会 放送技術研究所
-
久保田 節
日本放送協会 放送技術研究所
-
谷岡 健吉
日本放送協会 放送技術研究所
-
山崎 晋
東京農工大学大学院 ナノ未来科学研究拠点
-
越田 信義
東京農工大 大学院
-
越田 信義
東京農工大大学院
-
Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricu
-
Koshida Nobuyoshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
Koshida Nobuyoshi
Division Of Electronic And Information Engineering Faculty Of Technology Tokyo University Of Agricul
-
久保田 節
Nhk 放送技研
-
Koshida N
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Tokyo Jpn
-
山崎 晋
東京農工大学工学部電気電子工学科
-
谷岡 健吉
日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス
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