アモルファス三酸化モリブデン薄膜のイオンレジスト効果
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概要
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Ion-beam modification of thin amorphous films of molybdenum trioxide (a-MoO<SUB>3</SUB>) was studied using thermionic sodium ions with an accelerating voltage of 4-12 kV. The films become abruptly insoluble in alkaline solutions at ion doses beyond a threshold value <I>D</I><SUB>th</SUB>. The a-MoO<SUB>3</SUB> film is potentially useful as a negative-type inorganic ion resist with extremely high contrast. From the analysis of the voltage dependence of <I>D</I><SUB>th</SUB>, it is suggested that the resistive property is a result of the insulator-metal transition of sodium molybdenum bronze (Na<SUB>x</SUB>MoO<SUB>3</SUB>) produced by ion implantation. This hypothesis is also supported by a significant decrease in the sheet resistance of the film with increasing ion dose.
- 日本真空協会の論文
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