低エネルギー正イオンに対するマイクロチャンネルプレートの反射形動作特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Gain characteristics of a microchannel plate (MCP) detector for low-energy positive ions have been measured in the energy range of about 20-150 eV. The MCP is operated in the reflection mode and a Ni-mesh electrode is employed as a collector. A key feature of this detector is that an extremely high gain can be obtained without using additional electrodes for preacceleration. It is also shown that this detection technique has two extra functions : discrimination of the incident ion energies and analysis of the incoming direction of ions. These properties are useful for energy- and angle-resolved detection of low-energy positive ions.
- 日本真空協会の論文
著者
-
越田 信義
東京農工大学大学院 ナノ未来科学研究拠点
-
越田 信義
東京農工大 大学院
-
越田 信義
東京農工大学工学部電気電子工学科
-
大野 隆夫
東京農工大学工学部電子工学科
-
越田 信義
東京農工大学工学部電子工学科
関連論文
- シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善
- 弾道電子面放出型電子源の特性とフラットパネルへの応用
- P3-2 熱誘起ナノ結晶Si超音波源の空中3次元イメージセンサへの応用 : 物体形状認識能の実証(ポスターセッション3(概要講演))
- P3-1 熱誘起ナノ結晶Si超音波源の空中3次元イメージセンサへの応用 : 超音波源の動特性評価(ポスターセッション3(概要講演))
- 多孔質シリコンの表面構造と発光機構
- 7)多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性(情報ディスプレイ研究会)
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性 : 情報ディスプレイ
- 多孔質シリコンの可視発光 : 研究の現状と技術的可能性
- 1インチ256×192画素アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板
- アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 多孔質シリコンを用いた面放出形コールドカソード : 基本特性と電子放出機構
- シリコンの発光現象
- 30p-Q-7 多孔質シリコンのESR
- バンド構造変化と表面束縛状態の相補的効果
- 27p-ZF-9 ポーラスSiの光物性
- 多孔質シリコンの可視発光
- 多孔質シリコンの可視域発光特性
- 13p-DD-14 ポーラス・シリコンのラマン散乱
- Precise Thermal Characterization of Confined Nanocrystalline Silicon By a 3ω Method
- Surface Structures and Photoluminescence Mechanisms of Porous Si
- 1-10P-59 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源によるデジタル情報伝送(ポスターセッション 1)
- P3-26 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源出力の可変指向性(ポスターセッション3(概要講演))
- Deep-Level Energy States in Nanostructural Porous Silicon
- Electroluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
- 圧電超音波材料 熱誘起ナノ結晶シリコン超音波源の特徴とその応用--ナノテクノロジーを利用した新しい超音波素子の可能性
- P1-C-37 熱誘起ナノシリコン超音波源の高音域スピーカへの応用研究(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
- 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- EID2000-12 多孔質多結晶Siを用いた弾道電子型冷陰極の電子放出特性とPL特性
- シリコンベース光共振器・導波路の動作特性 : ポーラスシリコンの高い屈折率制御性を用いた光デバイスの作製
- 量子サイズナノシリコンの発光と新規機能
- ナノシリコンダイオードからの弾道電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)
- 03aB07 ナノシリコンテクノロジーによる光・電子・音響機能集積(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
- Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
- Transient and Stationary Characteristics of Thermally Induced Ultrasonic Emission from Nanocrystalline Porous Silicon
- ナノクリスタルシリコン発光デバイス (特集 新たな地平に向かうシリコンフォトニクス)
- Photoluminescence from Deuterium Terminated Porous Silicon
- Optical Cavity Based on Porous Silicon Superlattice Technology
- Cold Electron Emission from Electroluminescent Porous Silicon Diodes
- The Relatiornship between Photoconduction Effects and Luminescent Properties of Porous Silicon
- Evidence of Homogeneously Broadened Spectra in the Visible Photoluminescence of Porous Silicon
- ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開
- 溶液中でも動作する電子源電極の開発と水素発生
- ナノ結晶シリコンフィールドエミッションディスプレイデバイス
- 映像・音響技術におけるナノテクノロジー : 量子サイズ領域で拓かれるシリコンの新しい可能性(映像情報メディアにおけるナノテクノロジー)
- 光・電子・音を出すシリコンナノ粒子--量子サイズ化によるシリコンテクノロジーの新展開 (特集 これからの材料)
- 27pYG-4 物理・応用物理学関連分野の審査基準
- JABEEに関する状況報告
- 2-4 MCPの出力電子エネルギー分布 : イメージインテンシファイヤの解像度への影響
- Dual Function of Thin MoO_3 and WO_3 Films as Negative and Positive Resists for Focused Ion Beam Lithography
- Effects of Anodization Current Density on Photoluminescence Properties of Porous Silicon
- 可視発光性シリコンの開発と応用に関する基礎的研究
- 多孔質シリコンの可視光ルミネセンス
- ポ-ラスシリコンの発光
- 1)光インタカレーション効果とその情報入力デバイスへの応用(情報入力研究会)
- A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Polysilicon Films
- 光インターカレーション効果とその情報入力デバイスへの応用
- 光電気化学太陽電池の半導体電極
- A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Poly-Silicon Films
- ポリアセチレンフィルムへのイオン注入 (導電材料とその応用) -- (電子伝導)
- 低エネルギー正イオンに対するマイクロチャンネルプレートの反射形動作特性
- アモルファス三酸化モリブデン薄膜のイオンレジスト効果
- アモルファスWO3薄膜のイオンビームレジスト効果
- ナノシリコンの発光と新機能
- ポーラスシリコンの発光 - 間接・直接遷移の枠を超えて -
- シリコンによる光電子集積を目指して
- 低エネルギー正イオンに対するマイクロチャンネルプレートの利得
- 光インターカレーション効果によるWO_3薄膜の光学的・電気的特性変化
- マイクロチャンネルプレートの出力電子エネルギー分布
- 23-3 アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作(第23部門 イメージセンサII)
- 23-2 アクティブ駆動方式256×192画素冷陰極HEEDと撮像カメラへの応用(第23部門 イメージセンサII)
- 13-5 シリコンナノ結晶膜の光電変換効率改善(第13部門 情報センシング)
- MCPの出力電子エネルギー分布 : 出力端電極構造の影響(画像変換装置)