ZnOバリスターの研究・技術動向
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-05-01
著者
-
脇谷 尚樹
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
脇谷 尚樹
東京工大 大学院理工学研究科
-
向江 和郎
(株)富士電機総合研究所
-
向江 和郎
(株)富士電機総合研究所機能デバイス研究所
-
Wakiya Naoki
Department Of Materials Science And Chemical Engineering Shizuoka University
関連論文
- Preparation of hydroxyapatite–ferrite composite particles by ultrasonic spray pyrolysis
- 超音波噴霧ICPフラッシュ蒸着法による異種組成ジルコニア薄膜の積層化
- Pb(Fe_Nb_)O_3(PFN)及びPb(Sc_Ta)O_3(PST)における秩序-無秩序転移に及ぼすAサイト置換効果
- Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
- 高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
- バッファーレイヤの導入によるセラミックス機能性薄膜の実現 (特集/最近のセラミックス薄膜)
- YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
- 基板サイズが(Bi, La)_4Ti_3O_薄膜の結晶方位と電気特性に及ぼす影響
- バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
- 機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割 (特集 セラミックスインテグレーション)
- 3L05 MOCVD 法による Nb 添加 SrTiO_3 多結晶薄膜の作成とその半導性
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
- 新形GIS用避雷器の開発
- 新形GIS用避雷器の開発
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- 二重ショットキー障壁の電圧依存性と界面準位の影響(第1報) : 理論的解析
- ICTS法によるZnOバリスタ界面準位の定量的評価
- Pr系ZnOバリスタのC-t特性
- DLTS法によるZnOバリスター界面準位の評価(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
- エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
- 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
- 強誘電性・強磁性マルチフェロイック物質の現象と展望 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
- 単結晶X線回折及びEXAFSによるPbZn_Nb_O_3の構造研究
- 結晶構造の観点から見たPbMg_Nb_O_3のパイロクロア型化合物への熱分解挙動
- Effect of bottom electrode structure on electrical properties of BaTiO3 thin films fabricated by CSD method
- Low-temperature crystallization of CSD-derived PZT thin film with laser assisted annealing
- MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
- Doping effect of Dy on leakage current and oxygen sensing property of SrTiO3 thin film prepared by PLD
- Thermochromic tungsten doped VO2-SiO2 nano-particle synthesized by chemical solution deposition technique
- Preparation of MgIn2O4Epitaxial Oxide Electrode with Spinel Structure and Heteroepitaxial Growth of BaTiO3–NiFe2O4Multiferroic Composite Thin Film
- Shape controlled ZnO nanoparticle prepared by microwave irradiation method
- Activation Energy of Oxygen Vacancy Diffusion of Yttria-Stabilized-Zirconia Thin Film Determined from DC Current Measurements below 150℃
- Orientation Control and Properties of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films Deposited on Ni-Zn-Ferrite for Novel Ferroelectric/Ferromagnetic Memory Applications
- Effect of Yttria-Stabilized Zirconia Thickness on Crystal Structure and Electric Property of Epitaxial CeO_2/Yttria-Stabilized Buffer Layer in Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure
- Preparation of PbTiO_3 Thin Film by Mist Source Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (CVD) Using Heptane Solvent
- ZnOバリスターの研究・技術動向
- 減圧熱プラズマ成膜法によるチタン酸鉛PbTiO_3薄膜の合成に及ぼす成膜圧力の影響
- シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
- YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
- PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
- ZnOバリスタの一粒界のI-V特性
- Pr系ZnOバリスターの粒成長と粒界相の生成に及ぼす焼成温度と雰囲気の影響
- さまざまな下部電極を導入したPZT薄膜の残留応力と誘電特性の変化(セラミックスインテグレーション)
- パルスレーザー蒸着法によるSr_Ba_Nb_2O_6薄膜の成膜ガス雰囲気と膜厚が配向性と表面形状に及ぼす影響(セラミックスインテグレーション)
- SrTiO_3シードバッファー層の導入によるPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の結晶成長(セラミックスインテグレーション)
- 低酸素圧下で合成したエピタキシャルLa__Sr__CoO_3(LSCO)薄膜の電気特性(セラミックスインテグレーション)
- Pb_5Nb_O_セラミックスへのLa置換による相転移と焼結挙動
- タングステンブロンズ型(Pb_La_)_5Nb_O_(X=0.0〜0.50)新化合物のMPB現象
- タングステンブロンズ型(1-X)Ba_Y_Nb_<10>O_-X Ba_Sm_Nb_O_固溶体の結晶構造と強誘電特性
- 化学溶液法による(Bi、La)_4Ti_3O_/Pb(Zr,Ti)O_3複合薄膜の電気的特性の比較(セラミックスインテグレーション)
- Pb(Mg_Nb_)O_3/BaTiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si多層薄膜の構造,誘電特性に対する残留応力の影響(セラミックスインテグレーション)
- MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の成長様式と成膜速度が配向性に及ぼす影響
- Pr添加ZnO焼結体における成分揮発と微構造の関係
- Pb-Mg-Nb-O系におけるパイロクロア型化合物の組成範囲
- タンク形避雷器の新シリ-ズの開発
- セラミックスの電磁気的・光学的性質 : III.導電的性質 粒界, 界面現象とその応用
- カビと人類破滅
- CIMTEC'98報告
- MRS Fall Meeting Symposium, "Electrically Based Microstructural Characterization II" 報告
- フロンティアセラミックスに関するワークショップ
- 粒界の電子状態を知る-過渡容量応答法と分子軌道計算
- Fabrication of transition temperature controlled W-doped VO2 nano particles by aqueous solution
- Fabrication of 12CaO·7Al2O3 powders with high specific surface area by sol–gel and ball-milling method
- Effect of Stress Engineering on the Electrical Properties of BaTiO3 Thin Film
- Preparation of MgIn2O4 Epitaxial Oxide Electrode with Spinel Structure and Heteroepitaxial Growth of BaTiO3–NiFe2O4 Multiferroic Composite Thin Film
- Microstructure and electrical properties of BaTiO3 thin films by modified CSD
- 電子材料部会の研究技術動向
- Modification of Ferroelectric Properties of BaTiO3–CoFe2O4 Multiferroic Composite Thin Film by Application of Magnetic Field
- セラミックス誘電体の最近の研究
- Oxygen Sensing Properties of SrTiO3 Thin Films
- Effect of Film Thickness on Electrical Properties of Chemical Solution Deposition-Derived Pb(ZrxTi1-x)O3/LaNiO3/Si
- Effect of Oxygen Annealing on Ferroelectricity of BiFeO3 Thin Films Formed by Pulsed Laser Deposition
- Preparation and Structure of Lead Magnesium Niobate Titanate Film by Double-Pulse Excitation using Nd:YAG and KrF Excimer Lasers
- Room-Temperature Electrical-Field Induced Oxygen Diffusion of Aluminum/Yttria-Stabilized Zirconia Thin Film Grown on Si Substrate
- Stress Control and Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film on Si Substrate with Buffer Layers
- Effect of Yttria-Stabilized Zirconia Thickness on Crystal Structure and Electric Property of Epitaxial CeO2/Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layer in Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Structure