MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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有機金属気相成長法によるSi基板上のCdTe厚膜成長層を用いた大面積2次元アレイ型放射線画像検出器の開発を行っている。検出性能向上のためには素子暗電流の低減が課題である。今回、成長層を用いて検出器アレイを試作し、その素子暗電流の評価を行った。アレイにおける素子暗電流の2次元分布から、暗電流はCdTe層の成長条件に依存することがわかった。また素子暗電流の温度依存性から暗電流には異なる2種類の深い準位が寄与することがわかった。
- 2011-05-12
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
犬塚 博章
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
舘 忠裕
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
藤村 直也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
近藤 嵩輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
難波 秀平
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
村松 慎也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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