MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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MOVPE法によるCdTe厚膜成長層を用いたX線γ線検出器の開発を目的として研究を行っている.n^+-GaAs基板上に成長したCdTe厚膜を用いてヘテロ接合ダイオード型検出器を試作し電気特性及び放射線検出特性を評価した.その結果良好な電流-電圧特性が得られ, キャリアの輸送特性も確認することができた.またγ線源に^<241>Amを用いて放射線検出測定を行ったところ, エネルギー分解可能であることが分かった.以上のことからMOVPE法によるエピタキシャルCdTe層を用いて放射線検出器を実現できることが確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
-
野田 光太郎
名古屋工業大学
-
高橋 博之
名古屋工業大学
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
大西 浩文
名古屋工業大学大学院
-
江口 和隆
名古屋工業大学大学院
-
大西 浩文
名古屋工業大学
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
江口 和隆
名古屋工業大学
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