MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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MOVPE法によるCdTe厚膜成長居を用いたX線γ線検出器の開発を目的として研究を行っている。n^+GaAs基板上に成長したCdTe厚膜を用いて試作したヘテロ接合型ダイオード検出器は良好な電流電圧特性示し,入射x線γ線に対する応答が期待できることが確認できた。しかし今後の検出特性改善には,成長時にGaAs基板からCdTe成長居中に拡散するGa量の低減が必要である。そこでGaAs/Si基板を用いた場合とGaAs基板上にZnTeバツファ層を形成した場合について,成長居中のGa拡数量を評価した。その結果,どちらの場合についてもGa拡数量の低減が可能であることが確認できた。
- 2003-05-08
著者
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
馬淵 崇
名古屋工業大学電気情報工学科
-
内田 圭
名古屋工業大学電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
中西 祐太郎
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
馬渕 崇
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
草間 啓年
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
中西 祐太郎
名古屋工業大学電気情報工学科
-
草間 啓年
名古屋工業大学電気情報工学科
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