MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性
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概要
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有機金属気相成長(MOVPE)法により成長したCdS層の成長特性について検討した.成長基板には(100)GaAs基板を用い, 原料はジメチルカドウム(DMCd)及びH_2Sを用いた.CdS層は, 成長温度250〜350℃では立方晶が成長し, 350℃以上の温度域では六方晶が混在することが分かった.成長温度300℃で単結晶の立方晶CdS層をバッファ層として成長した後, 450℃でCdS層を再成長することにより, 良好な結晶性を持った立方晶のCdS層が得られることが分かった.
- 2000-05-12
著者
-
増田 祐輔
名古屋工業大学電気情報工学科
-
富田 泰光
名古屋工業大学電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
ヘムザ ビン
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
サミオン ハムザ
名古屋工業大学電気情報工学科
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