MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性
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概要
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イソプロピルヨウ素(IPI), エチルヨウ素(EI)をn型ドーパントとしたMOVPE成長CdTe層へのドーピング特性について検討を行った. 成長基板には(100)GaAs基板を用い, Cd原料はジメチルカドウム(DMCd), Te原料はジターシャリブチルテルル(DtBTe), ジエチルテルル(DETe)及びジイソプロピルテルル(DipTe)を用いた. 成長温度, ヨウ素供給量及びホットウォール温度を最適化することで, ドープ層電子密度は10^<15>から10^<18>cm^<-3>まで広範囲に制御できることがわかった. また, 成長原料がドーピング特性に及ぼす影響やドーピングが成長特性に及ぼす影響等についても検討を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
川内 康弘
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
石黒 智章
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
森下 浩志
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
増田 祐輔
名古屋工業大学電気情報工学科
-
富田 泰光
名古屋工業大学電気情報工学科
-
保木 一樹
名古屋工業大学電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
石黒 智章
名古屋工業大学電気情報工学科
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