MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性
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概要
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(100)GaAs基板上に275℃でMOVPE成長した(100)HgCdTe(MCT)層の組成制御特性とCdTe、HgTe層格子歪の膜厚依存性を検討した。成長原料としてはDtBTe、DMCd、金属Hgを用いた。MCT層中のCd組成はDMCd量にサブリニアに比例して増加するが、Hgに対するDtBTe比を変化することによりCd組成の増加率を制御できる。また425℃で成長したCdTe、HgTe層では膜厚5μm程度以下では格子定数は膜厚の増加とともに急速にバルク値に近づき、5μm以上ではバルク値と一致することがわかった。一方、275℃で成長した層の格子定数は膜厚1μm程度でバルク値と一致することがわかった。
- 1994-05-20
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