MOVPE成長CdTeの不純物ドーピング条件に関する検討
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概要
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MOVPE法による(100)CdTe層の表面モフォロジーと成長特性、ドーピング特性との相互関係について検討した。原料ガスにはジメチルカドミウム(DMCd)とジエチルテルル(DETe)を用い、成長温度400℃付近でGaAs基板上に成長させた。DETe,DMCd供給比が1以下のとき表面モフォロジーはピラミッド状のヒロックを示す。このモフォロジーを示す成長条件では、トリエチルアルシンを用いた高濃度Asドープp型CdTe層が成長可能となる。一方DETe/DMCd供給比が1から2へと増加するにつれて、表面モフォロジーは滑らかとなり鏡面となる。このモフォロジーを示す成長条件では、トリエチルガリウムによるn型ドーピングで高いGaの活性化率が得られる。しかしながらDETe/DMCd供給比を2以上に大きくすると表面は変化し、過剰Teの析出と考えられる楕円状のピットが現れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-20
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