MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃では、ヨウ素ドープCdTe層の抵抗率はVI/II比3.0の場合でEI供給量1×10^<-6> mol/min以上で急激に増加することが分かった。また、抵抗率はVI/II比3.0から1.0に減少した場合には、より少量のEI供給量で高抵抗化することが分かった。以上の結果から、CdTe層の高抵抗化の機構について検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
渡邊 彰伸
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
甲斐 康寛
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
山田 航
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市橋 果
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学工学部
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
岡 寛樹
名古屋工業大学大学院
-
中西 智哉
名古屋工業大学大学院
-
仲島 甫
名古屋工業大学大学院
-
安田 和人
名古屋工業大学
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