MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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MOVPE法によるCdTe厚膜成長層を用いたX線γ線検出器の開発を目的として研究を行っている.これまでは, GaAs基板上のCdTe成長層を用いた検出器の検討を行ってきたが、検出器高性能化及び大面積化のためには, Si基板上に直接成長したCdTe層を利用することが望ましい.しかし, Si基板上へCdTe直接成長では, 成長層の多結晶化や基板からの剥離の問題がある.この問題を解決するため成長前にSi基板をGaAs片と共にアニールする事をしたところ, 単結晶が得られることが可能になった.ここではSi基板上に直接成長した厚膜CdTe層結晶性について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
-
野田 光太郎
名古屋工業大学
-
高橋 博之
名古屋工業大学
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
大西 浩文
名古屋工業大学大学院
-
江口 和隆
名古屋工業大学大学院
-
大西 浩文
名古屋工業大学
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
江口 和隆
名古屋工業大学
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