ジイソプロピル亜鉛を用いた有機金属気相成長CdZnTeの成長特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
成長原料としてジイソプロビル亜鉛(DiPZn), ジメチルカドミウム(DMCd), ジェチルデルル(DETe)を用い, 有機金属気相成長(MOVPE)法により成長したCd_<1-x>Zn_xTe (CZT)層の成長特性について検討した. 成長基板には(100)GaAs基板を用い, 成長温度は375〜450℃の範囲で変化させた. DiPZn供給量の少ない領域では, DiPZn供給量の増加と共にCZT成長速度は増加する事が分かった. またDiPZn供給量の多い領域では, DiPZn供給量の増加と共にCZT層中のZn組成は急激に増加し, CZT成長速度は減少する事が分かった. Zn組成0.06以下において, CZT層中のZn組成の制御性は良好であり, また成長面内のZn組成及び膜厚は均一であつた. CZT成長のメカニズムについても検討を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
児島 克祥
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
森 勝宏
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
窪田 吉孝
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
川口 耕司
名古屋工業大学電気情報工学科
-
前葉 浩伸
名古屋工業大学電気情報工学科
-
木原 久典
名古屋工業大学電気情報工学科
-
川口 耕司
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
木原 久典
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
前葉 浩伸
名古屋工業大学 電気情報工学科
関連論文
- MOVPE成長CdTeの不純物ドーピング条件に関する検討
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究--Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 (シリコン材料・デバイス)
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究--Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 (電子部品・材料)
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究--Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 (電子デバイス)
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- CdTe厚膜のMOVPE成長と放射線検出器への応用特性
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 : Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 有機金属気相成長法によるCdTe厚膜を用いた大面積放射線画像検出器の研究
- MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性
- 有機金属気相法によるCdZnTe成長特性の原料アルキル基依存性
- 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性
- 有機金属気相法によるCdZnTe成長特性の原料アルキル基依存性
- 低温有機金属気相成長CdTeへの沃素ドーピング特性
- ジイソプロピル亜鉛を用いた有機金属気相成長CdZnTeの成長特性
- MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器
- MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器
- MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性
- MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性
- MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性
- MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性
- MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性
- MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性
- 有機金属気相成長CdTe層のドライエッチング特性の検討
- 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II)
- 有機金属気相成長CdTe層のドライエッチング特性の検討
- 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II)
- 有機金属気層成長CdTe層のドライエッチング特性の検討
- 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II)
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性
- MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性
- MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性
- HgCdTeの有機金属気相成長
- MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Al/n-6H SiCコンタクトの熱処理効果
- 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発