MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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X線γ線検出器への応用を目的として,MOVPE長法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜層の成長特性と,その成長層の結晶性及び電気特性について検討した.GaAs/Si基板上CdTe成長層の結晶性は成長層厚さの増加と共に向上することがわかった.また成長層のフォトルミネッセンス評価から,GaAs/Si基板上の成長層には引張応力が存在することがわかった.またGaAs/Si基板上の厚膜層ではGaAs基板上の厚膜層と比較して,ドナー性不純物の取込みが減少することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-17
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
川内 康弘
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
石黒 智章
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
森下 浩志
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
馬淵 崇
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
馬淵 崇
名古屋工業大学電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
石黒 智章
名古屋工業大学電気情報工学科
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