低温有機金属気相成長CdTeへの沃素ドーピング特性
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概要
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有機金属気相(MOVPE)成長CdTe層への沃素ドーピング特性を成長温度250〜450℃の範囲で検討した. 成長温度325℃から250℃ではドープ量一定(1.1×10^<-10>mol/min)のとき, 沃素ドープ層の電子密度は成長温度の低下と共に増加する. 電子密度の温度依存性の測定から, CdTe層中の沃素の活性化エネルギーはEg=13.3±0.3meVであることがわかった. 325℃で成長したCdTe層は低温域でもイオン化不純物散乱の影響が小さく, 77Kで1.9×10^3 cm^2/Vsと良好な値を示した. 沃素ドープCdTe層の電子密度はイソプロピル沃素供給量及び成長時のTe/Cdの供給量比率により制御できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
児島 克祥
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
森 勝宏
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
窪田 吉孝
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
川口 耕司
名古屋工業大学電気情報工学科
-
前葉 浩伸
名古屋工業大学電気情報工学科
-
木原 久典
名古屋工業大学電気情報工学科
-
川口 耕司
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
木原 久典
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
前葉 浩伸
名古屋工業大学 電気情報工学科
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