MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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• X線γ線検出器への応用を目的として,MOVPE法によるGaAs基板上への厚さ100μm程度のCdTe厚膜層成長と成長層の結晶性及び電気特性について検討した.CdTe厚膜層を成長するためには基板加熱温度の時間的制御が必要であることがわかった.CdTe層の結晶性は成長層の厚さの増加と共に向上する.特に厚さ50μmでは2結晶X線回折における(400)ロッキングカーブ半値幅は45arcsec.となり高品質バルク結晶に匹敵する値が得られた.またフォトルミネッセンス(PL)測定からも成長層高品質化が確認できた.GaAs基板上では厚さ30μm程度まで圧縮性応力の急速な緩和が観測されるが,厚さ50μm以上でもその応力は残留することがわかった.本成長法によりGaAs基板上に高品質のCdTe厚膜が成長できることが確認できた.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-05-17

著者

• 安田 和人

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 川内 康弘

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 安形 保則

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• マダン ニラウラ

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学・電気情報工学科

• 安田 和人

  名古屋工業大学大学院

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学工学部

• 安形 保則

  名古屋工業大学大学院

• 石黒 智章

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 森下 浩志

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 馬淵 崇

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 馬淵 崇

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 安田 和人

  名古屋工業大学

• 石黒 智章

  名古屋工業大学電気情報工学科

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