MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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MOVPE法によりSi基板上に成長した厚膜CdTe成長層を用いた大面積X線γ線画像検出器の開発を目的として研究を行っている。これまでの研究で, Si基板に成長前処理として減圧水素雰囲気中で, GaAs片とともにアニールする事で,単結晶CdTe層が得られることが分かっている。しかし,成長層の膜厚が50μmを超えると剥離する問題があった。そこで,成長前処理の最適化,成長法の改善を行った結果,上記の問題を解決し結晶性の良い厚膜CdTe成長堀(100μm以上)が得られるようになったため報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-17
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
田中 龍一
名古屋工業大学機能工学専攻
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学大学院
-
大村 翔洋
名古屋工業大学機能工学専攻
-
中村 公二
名古屋工業大学機能工学専攻
-
マダン ニラウラ
名古屋工業大学大学院
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学工学部
-
安形 保則
名古屋工業大学大学院
-
安田 和人
名古屋工業大学
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