有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II)
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概要
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有機金属気相(MOVPE)成長により成長温度375℃から450℃でGaAsおよびCZT基板上に成長したCdTe層とZnTe層のヨウ素ドーピング特性を検討した.成長温度450℃以上では, ドープ層は高抵抗化する.その高抵抗化の原因について, Hall効果測定(300K)よる電気特性評価, フォトルミネンセンス(4.2K)による光学特性評価から検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
安田 和人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
浅井 良彦
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
犬飼 文人
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
二村 徹
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
浅井 良彦
名古屋工業大学電気情報工学科
-
宮田 充宜
名古屋工業大学電気情報工学科
-
宮田 充宜
名古屋工業大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
荒木 紀明
名古屋工業大学電気情報工学科
-
犬飼 文人
名古屋工業大学電気情報工学科
-
安田 和人
名古屋工業大学
-
二村 徹
名古屋工業大学電気情報工学科
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