1853 ポリイミドフィルムを基板とする銅薄膜配線の新規手法による付着強度評価(J09-3 プリント基板接続信頼性,J09 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The quantitative evaluation of adhesive strength of copper thin film on flexible polyimide film was tried in this research by using a new technique. The specimen was made of polyimide film diced like a block on copper film. By comparing the maximum applied load between the experiment and the simulation to exfoliate this specimen from the copper film, the energy release rate of the interface was evaluated.
- 2005-09-18
著者
関連論文
- 431 シリコン材料の疲労特性に影響を及ぼす諸因子に関する研究(T09-2 微小機械システムにおけるマイクロ・ナノ力学(2) 単結晶シリコンの力学特性,大会テーマセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 3P2c-4 パイプ欠陥からのガイド波の可視化とモード解析(ポスターセッション)
- 506 等方性炭素材料の珪化破壊に関する研究
- 721 新規手法による PVD コーティングの定量的強度評価
- 711 耐摩耗被膜の破壊挙動と総合的機械特性に基づく新しい健全性評価
- T0301-1-3 不活性環境下でのシリコンの疲労挙動(マイクロ・ナノ構造体の強度・力学特性)
- 515 配線用銅薄膜とキャップ層との付着強度の定量評価(OS2-3,OS2 各種機械材料の疲労挙動と強度評価)
- 銅とバリアメタル界面の付着強度評価(OS24b ナノ・マイクロ構造の強度信頼性解析)
- サブミクロン銅薄膜とバリアメタル界面の付着強度評価(S05-2 薄膜界面はく離・欠陥評価,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- 基板上に形成された銅薄膜の付着強度評価(破壊力学)
- T0302-1-2 ボッシュプロセスで作製されたMEMS構造体の損傷に基づく静的強度予測(マイクロ・ナノ力学とシステム設計論(1))
- 1203 異なる手法により評価された集積回路用銅薄膜配線材料の付着強度(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 269 工具用ダイヤモンドコーティングの疲労損傷評価(OS2-4 最先端加工技術の基礎と応用(4),OS2 最先端加工技術の基礎と応用)
- 268 加工された単結晶シリコンの強度と疲労寿命に関する統一的解釈の試み(OS2-4 最先端加工技術の基礎と応用(4),OS2 最先端加工技術の基礎と応用)
- 2834 基板上のCVDダイヤモンド薄膜の疲労損傷過程(S08-2 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開(2),S08 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開)
- 1927 配線用銅薄膜界面に対する付着強度評価法の検討(J16-4 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価(4),J16 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 2841 シリコン薄膜の疲労特性とその評価(S08-3 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開(3),S08 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開)
- 307 フレキシブルプリント基板用ポリイミド/銅薄膜システムの界面エネルギーの評価(OS4-2 技術革新に向けた新しい材料力学)
- 309 試験片の微小化による薄膜界面付着強度評価の誤差要因(OS4-2 技術革新に向けた新しい材料力学)
- 311 損傷のキャラクタリゼーションに基づくシリコンの破壊力学的強度評価(OS4-2 技術革新に向けた新しい材料力学)
- 621 き裂進展のシミュレーションに基づく弾塑性薄膜界面の結合エネルギーの評価(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 3954 シリコン基板上のCVDダイヤモンド薄膜の疲労信頼性とその評価(S21-3 強度物性と信頼性,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- 3953 多結晶シリコン薄膜の強度と疲労特性(S21-3 強度物性と信頼性,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- 3950 物理気相合成法により作製された硬質薄膜の機械強度特性(S21-2 静的強度評価,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- 3947 ポリイミドフィルム/銅薄膜界面におけるき裂進展抵抗の評価(S21-1 強度物性評価法,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- 514 切断加工による損傷に基づくシリコンチップの機械的信頼性評価(OS2-3,OS2 各種機械材料の疲労挙動と強度評価)
- 610 異なる基板上に形成された硬質薄膜の強度と破壊挙動の評価
- 1853 ポリイミドフィルムを基板とする銅薄膜配線の新規手法による付着強度評価(J09-3 プリント基板接続信頼性,J09 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 1842 多結晶シリコン薄膜の機械的信頼性評価に関する新しい試み(J09-1 マイクロ構造・材料の強度評価,J09 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 改良型パルス圧縮手法によるガイド波信号の高分解能化--高SN比でのガイド波配管検査手法 (特集 最近の非破壊検査)
- P3-51 改良型パルス圧縮処理によるガイド波信号の高分解能化(ポスターセッション3(概要講演))
- 1843 半導体材料の高サイクル疲労特性に関する研究(J09-1 マイクロ構造・材料の強度評価,J09 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 842 シミュレーションで測る薄膜の付着強度 : 計算機の援用による新しい材料評価の可能性
- T0302-1-3 新規疲労試験手法を用いた単結晶および多結晶シリコンの疲労特性の評価([T0302-1]高信頼マイクロ・ナノデバイスのための設計・計測技術(1):シリコンの破壊と疲労)
- J0601-2-6 集積回路中の配線用銅薄膜界面に対する付着強度の評価([J0601-2]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- T0302-1-2 ボッシュプロセスで作製されたMEMS構造体の強度設計法に関する基礎的研究([T0302-1]高信頼マイクロ・ナノデバイスのための設計・計測技術(1):シリコンの破壊と疲労)
- T0302-1-5 シリコンの疲労メカニズムの描像を目的としたSEM内疲労試験の試み([T0302-1]高信頼マイクロ・ナノデバイスのための設計・計測技術(1):シリコンの破壊と疲労)
- MNM-3A-2 不活性環境下におけるシリコンの疲労寿命定量評価と環境による寿命変化に基づく疲労機構推測の試み(セッション 3A 単結晶・多結晶シリコンの疲労寿命評価とメカニズムの解明)
- 751 多結晶シリコン薄膜の疲労挙動に及ぼす環境因子の影響(OS9-3 材料の疲労と破壊におけるミクロ計測と損傷評価3,OS9 材料の疲労と破壊におけるミクロ計測と損傷評価)
- 752 超硬合金基板上のダイヤモンド薄膜における疲労はく離と基板表面の損傷蓄積との関係(OS9-3 材料の疲労と破壊におけるミクロ計測と損傷評価3,OS9 材料の疲労と破壊におけるミクロ計測と損傷評価)
- 5-5 異なる試験手法により得られたシリコンの疲労挙動の相互比較(セッション5:OS1-2 マルチスケール・シミュレーションとナノ計測)
- 206 せん断荷重下における接着界面のき裂進展解析(OS2.接着・接合・界面・薄膜の理論と実験および信頼性評価(2),OS・一般セッション講演)
- 104 集積回路配線用銅薄膜の付着強度評価における試験片寸法の効果(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),OS・一般セッション講演)